三星取得半导体存储器件专利,该半导体存储器件包括在基板上的多个存储单元
发布时间:2024-4-2 17:50阅读:148
金融界2024年4月1日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件“,授权公告号CN111244094B,申请日期为2019年9月。
专利摘要显示,公开了一种半导体存储器件,该半导体存储器件包括:在基板上的多个存储单元,每个存储单元包括存取晶体管、上拉晶体管和下拉晶体管;第一线层,在存储单元上并包括第一下着陆焊盘和第二下着陆焊盘;第二线层,在第一线层上并包括具有开口的接地线和在开口中的上着陆焊盘;以及包括字线的第三线层,在第二线层上。接地线通过第一下着陆焊盘电连接到下拉晶体管的端子。字线通过上着陆焊盘和第二下着陆焊盘电连接到存取晶体管的端子。
温馨提示:投资有风险,选择需谨慎。
-
8月可转债强赎密集来袭!最后转股日汇总,手里有的赶紧看
2026-08-24 11:33
-
2026年开户选长城证券、华泰证券还是中金财富好?
2026-08-24 11:33
-
公积金新规9月20日实施!房租提取不卡比例,装修物业费也能提
2026-08-24 11:33



+微信
分享该文章
