三星取得存储器件专利，存储单元布置为具有小的电特性变化并从而提高可靠性
发布时间：2023-12-12 22:37阅读：418
金融界2023年12月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“存储器件“，授权公告号CN112652643B，申请日期为2017年1月。
专利摘要显示，本发明构思提供一种存储器件。在该存储器件中，存储单元布置为具有小的电特性变化并从而提高可靠性。在存储器件中，在不同水平的存储单元可以用具有不同厚度的间隔物覆盖，这可以控制存储单元的电阻特性(例如设置电阻)并且减小存储单元的电特性的竖直变化。此外，通过调整间隔物的厚度，存储单元的感测裕度可以增加。
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