三星取得基于铁电的存储器单元专利，可提高存储器数据存储效率
发布时间：2023-11-30 17:14阅读：180
金融界2023年11月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“可用于逻辑芯片存储器的基于铁电的存储器单元”，授权公告号CN110391239B，申请日期为2019年3月。
专利摘要显示，描述了一种存储器单元和利用该存储器单元的方法。存储器单元包括至少一个铁电晶体管(FE晶体管)和与FE晶体管耦合的至少一个选择晶体管。FE晶体管包括用于存储数据的铁电电容器和晶体管。铁电电容器包括(多个)铁电材料。在一些方面，存储器单元由FE晶体管和选择晶体管组成。在一些方面，FE晶体管的晶体管包括源极、漏极和与铁电电容器耦合的栅极。在这方面，选择晶体管包括选择晶体管源极、选择晶体管漏极和选择晶体管栅极。在这方面，存储器单元的编程端口是选择晶体管源极或选择晶体管漏极。选择晶体管源极和漏极中的另一个耦合到铁电电容器。
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