金融界2023年12月12日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“反熔丝单元“，授权公告号CN113497043B，申请日期为2020年4月。

　　专利摘要显示，本发明涉及一种反熔丝单元，包括：反熔丝器件；晶体管，位于反熔丝器件一侧，与反熔丝器件电连接，形成从反熔丝器件到晶体管的一电流路径；第一电阻结构和第二电阻结构，均位于电流路径中。第一栅极介质层被击穿后，电流通过反熔丝离子注入区、第一电阻结构与第二电阻结构、有源区，继而到达晶体管的漏极，第一电阻结构与第二电阻结构并联在第一栅电极于晶体管的漏极之间，使得从第一栅电极到晶体管漏极之间的电流路径的电阻变小，实现了较大的击穿电流，提升了反熔丝单元的性能。