金融界2023年12月2日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“存储器及其修补方法“，授权公告号CN116580729B，申请日期为2023年7月。

　　专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种存储器及其修补方法，存储器包括：至少两个边缘子存储阵列和中间子存储阵列，边缘子存储阵列中包括多条第一子位线和多条第二子位线，中间子存储阵列中包括多条第二位线；多个与一第一子位线、一第二子位线和一第二位线均耦接的读取电路；每一读取电路包括：具有第一节点和第二节点的感测放大器；基于第一选通信号选择是否电连接第二位线和第一节点的第一选择电路；基于第二选通信号选择是否电连接第一子位线和第二节点的第二选择电路；基于所述第三选通信号选择是否电连接所述第二子位线和所述第二节点的第三选择电路。本公开实施例至少有利于提高对边缘子存储阵列中存储单元的利用率。