金融界2023年12月2日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“存储器及其配置方法和读取控制方法“，授权公告号CN116564375B，申请日期为2023年7月。

　　专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种存储器及其配置方法和读取控制方法，存储器包括：至少两个边缘子存储阵列和中间子存储阵列，边缘子存储阵列中包括多条第一位线；至少一个具有第一端和第二端的第一感测放大器，第一端和第二端分别与两条第一位线耦接，与同一第一感测放大器耦接的两条第一位线中的一者为第一读写位线，另一者为第一参考位线；其中，写入与第一读写位线对应的存储单元中的数据为第一数据，则对应写入与第一参考位线对应的存储单元中的数据为第二数据，第一数据和第二数据中的一者为逻辑1，则另一者为逻辑0。本公开实施例至少有利于提高对边缘子存储阵列中存储单元的利用率。