尽管中国在集成电路技术距离世界领先还有很大距离，但经过近些年来不断地奋起直追，部分公司在单一领域已经取得明显突破。

　　比如，刻蚀设备领域。

　　在刻蚀设备领域取得突破的公司，就是鼎鼎大名的中微半导体。

　　从2004年开始研发相关产品以来，中微半导体目前的刻蚀机已经涵盖65纳米、45纳米、32纳米、28纳米、22纳米、14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的众多刻蚀应用。其刻蚀机的工艺水平已达世界先进水平。

　　2017年7月，台积电宣布，中微半导体被纳入其7nm工艺设备商采购名单。去年12月，中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机正式通过台积电验证，将用于全球首条5纳米制程生产线。目前，高端刻蚀机仅美国上市公司应用材料、东京电子和中微半导体等少数几家能通过台积电5nm验证的更少。

　　这是国内半导体厂商第一次参与世界最先进的芯片研发生产行列。

　　随着这几年来出货量增长，公司业绩表现不错。2018年中微半导体的营业收入为16.39亿，净利润0.91亿。

　　29日，上交所正式受理了中微半导体的上市申请。这应该是目前申报科创板上市的企业中，最硬核的公司。

　　刻蚀设备工艺已不输国际先进水平

　　中微半导体主要产品为MOCVD设备和刻蚀设备，其中最有前景的产品无疑是刻蚀设备。

　　芯片的“地基”晶圆在制造中有七大类关键工艺：光刻，刻蚀，掺杂，薄膜生长，热处理，抛光和清洗等工艺。需要用到光刻机，刻蚀机，CVD，PVD，CMP抛光机，湿/干法清洗设备，氧化扩散炉，离子注入机，等其中，最核心是光刻、刻蚀，薄膜生长三道工艺。

　　刻蚀机用来按光刻机刻出的电路结构，在硅片上进行微观雕刻，刻出沟槽或接触孔的设备。其对加工精度的要求非常高。“我们的等离子刻蚀机在芯片上的加工工艺，相当于可以在米粒上刻10亿个字的水平。”中微半导体创始人尹志尧曾如是表示。

　　刻蚀设备是晶圆制造中最重要设备之一。根据 SEMI 统计，2017 年按全球晶圆制造设备销售金额占比类推，目前刻蚀设备、光刻机和薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约24%、23%和18%。

　　刻蚀设备市场规模巨大。根据VLSI Research统计，2018年全球半导体设备系统及服务销售额为811亿美元。2018年半导体设备在中国大陆的销售额估计为128亿美元，同比增长56%，约占全球半导体设备市场的21%，得力于国内大规模的投资建设晶圆工厂，中国大陆已成为仅次于韩国的全球第二大半导体设备需求市场。

　　但由于国外巨头起步较早，凭借资金、技术、客户资源、品牌等方面的优势，前五大半导体设备制造厂商占据了全球半导体设备市场 65%的市场份额。国内半导体设备同样依赖进口，根据中国电子专用设备工业协会的统计数据，2018 年国产半导体设备销售额预计为109亿元，自给率约为13%，大多数集中在6英寸、8英寸产线进入12英寸高端产线的核心设备更是寥寥无几。

　　目前国内生厂商刻蚀设备主要是2家，一家是北方华创，另一家就是中微半导体。

　　在刻蚀机领域，按照需要刻蚀的材料来分主要有三种类型的刻蚀机：金属刻蚀机，硅刻蚀机和介质刻蚀机，三种设备并不通用。其中硅刻蚀和金属刻蚀相对容易，而介质刻蚀则是最难的工艺，因此介质刻蚀机也是最难做的刻蚀设备。

　　北方华创主要侧重于金属刻蚀机，硅刻蚀机，中微半导体侧重于介质刻蚀机。

　　中微半导体从2004年开始研发电容性等离子体刻蚀设备(CCP)，主要做介质刻蚀。目前已经拥有5款产品，涵盖65纳米、45纳米、32纳米、28纳米、22纳米、14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的众多刻蚀应用。

　　20nm工艺后，平面的CMOS工艺已经走到极限，集成电路晶体管技术开始进入3D结构，16/14的FinFET ，以及3D NAND FLASH等立体结构的各种芯片不断出现，这对制造环节提出极高的要求。

　　20nm以下的绝缘层已经非常薄，多层的NAND 芯片，只要有任何一层在工艺中出错，则导致整片晶圆爆发，因此对介质刻蚀提出了近乎苛刻的要求。

　　中微半导体从2012年开始开发电感性等离子体刻蚀设备(ICP)，主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料，主要用于封测厂。到目前为止已成功开发出单反应台的 Primo nanova刻蚀设备。ICP较CCP技术要求更高，目前双反应台ICP刻蚀设备正在研发中。公司的ICP刻蚀设备主要是涵盖14纳米、7纳米，5nm技术在和台积电研发阶段。

　　根据招股书显示，中微半导体的设备基本上都已经达到国际先进水平。

　　但不可否认，和国际大公司极强的财力和人力，长时间的技术积累带来的产品稳定性和名声，国内公司突围需要时间。

　　但依靠性价比优势，中微半导体正逐渐进入国内外巨头的视线。2017年7月，台积电宣布中微半导体纳入其7nm工艺设备商采购名单，这是中国蚀刻机厂商第一次出现在台积电供应商采购名单中。

　　去年12月，中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机正式通过台积电验证，将用于全球首条5纳米制程生产线。目前，通过全球高端刻蚀机玩家仅剩下美国公司应用材料(Lam Research)东京电子和中微半导体，而通过台积电5nm工艺认证的则更少。

　　近期，国内两家国内知名存储芯片制造企业采购中微半导体的产品。中微半导体在企业A中的采购份额占比已达15%，在企业B中的份额已经达到17%。

　　截至 2018 年末，中微半导体的产品已经累计服务国内外40余条先进芯片生产线。

　　2018年，中微半导体的营业收入16.39亿，净利润0.91亿。

　　“半导体是一个周期性行业，从行业发展来判断，近三年是一个低潮期。低潮期晶圆工厂的投资肯定会缩水，因此中微的业绩会不太好看，但熬过这几年一旦进入景气周期，巨头投入巨资开始新建晶圆工厂的时候，中微的业绩则会迅速爆发。目前一台刻蚀机的售价在300-400万美金左右。差不多新建一条12英寸晶圆工厂工厂，各类型刻蚀机差不多要采购100台到200台，对应20k-30k的月产能，如果产能更多，则需求量更大，因此一条线基本就有几十亿的刻蚀机设备采购需求，中微拿个几十台订单，这就10亿以上的销售额了，外加中微针对化合物半导体的MOCVD，两者在景气周期营收应该相当可观。”品利基金半导体投资经理陈启对读懂君表示。

　　打破国外垄断！一年卖106台MOCVD设备

　　除了刻蚀机外，中微半导体在LED芯片的MOCVD机台上也取得了突破。

　　LED产业链主要分为衬底加工、LED外延片生产、芯片制造和器件封装四个领域。其中，外延片的生产是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。

　　关于外延片，通俗点的解释是，把晶圆原材料进行加工，形成的半成品。后续外延片经过多道工序加工后成为芯片。举个例子，晶圆好比土地，芯片好比装修好的新房，外延就是土地上盖的毛坯房。

　　而MOCVD设备就是用来制造外延片的。与集成电路需要在多种核心设备间循环的制造工艺不同，外延片的生产主要是通过MOCVD单种设备实现。

　　因此，作为LED制造中最重要的设备，下游LED芯片厂商对MOCVD设备采购金额一般占LED生产线总投入的一半以上。MOCVD设备的数量，成为衡量LED制造商产能的直观指标。

　　为了吸引投资，各地政府更是直接对企业采购MOCVD进行补贴。2009年，扬州率先出台MOCVD补贴政策，设立25亿元的资金，根据型号不同企业购置MOCVD设备每台至少补贴800万元，最多1000万元。各地政府纷纷效仿，一场MOCVD补贴大战就此拉开。

　　过去，全球的MOCVD市场基本被维易科和爱思强垄断，肥水都流了外人田。随着国内越来越多的企业涉足MOCVD设备，情况发生了明显改变。其中，中微半导体更是国产MOCVD设备企业中的佼佼者。

　　招股书显示，2018年中微半导体在MOCVD设备上的销量为106台，较去年同期增长85.96%。同期，销售MOCVD设备的收入在8.32亿，占其总收入的50.76%。

　　在刻蚀设备尚未发力的阶段，MOCVD设备销售成为公司的主要收入来源。

　　106台是什么概念？根据高工LED数据显示，过去两年，整个中国市场每年年预计新增的MOCVD为大约250台，按照中微半导体今年106台的出货量，国内市场占有率可以达到40%以上，这是非常不错的成绩。

　　截至2016年，LED芯片国产率提升至76%，达到了106亿元，进口仅为33亿元。彻底改变了以往LED芯片100%进口的尴尬局面。要知道，三安光电在2016年前购买的MOCVD，基本不是维易科的，就是爱思强的。

　　更重要的是，随着国内LED芯片产业的高速发展，全球LED芯片产能逐渐向中国大陆转移，带来三安光电，华灿光电等一批LED芯片厂商脱颖而出，逐鹿全球市场。

　　数据显示，中国LED芯片占全球比重已经由2013年的27.00%提升至2017年的37.10%。其中，作为中国LED芯片的龙头企业三安光电，更是喊出2018年全球市占率提升到22%的目标，可谓野心勃勃。

　　关键技术突破和产能转移，进一步带来MOCVD设备需求的增加。根据LED inside统计，中国已经成为全球MOCVD设备最大的需求市场，MOCVD设备保有量占全球比例已超40%。

　　尽管，维易科和爱思强仍然在全球MOCVD市场占有份额优势，但其地位已经明显不如以往那般稳固。

　　其中，最先掉队的是爱思强。

　　2015年，由于爱思强产品的技术不能满足三安光电的需求，导致其丧失了三安光电这一全球最大客户。2016年，一度还被传出要被中国资本收购，后来遭到奥巴马的亲自否决。

　　而过去几年，维易科也在与中微半导体的各种专利官司上屡屡败诉。

　　长期来看，由于中国已经逐渐掌握了LED生产各个环节的技术，在芯片，封装等领域均诞生了像中微半导体这样具备极强竞争力的龙头企业。LED产业向中国转移几乎是不可逆转的趋势。

　　这么看来，VEECO走向衰落也是大势所趋，中微半导体有望在这个领域取得更好的成绩。

　　不过，受限于市场规模和市场饱和度，中微半导体在MOCVD设备上的表现，或许远没有蚀刻机来的亮眼。

　　集中力量办大事！发展集成电路，需要科创板

　　算上中微半导体，上交所已经受理了6家业务涉及集成电路的公司。按目前受理的28家来算，占比达21%。集成电路，也成为目前上交所受理公司最多的行业。

　　这6家公司分别是中微半导体、安集微电子、晶晨半导体、和舰芯片、睿创微纳和华兴创源。

　　其中不乏一些国内半导体细分领域处于领先的企业。除了本文提到的中微半导体外，安集微电子在CMP研磨液领域也成功打破了外国垄断。

　　此外，澜起科技、复旦微电子和晶丰明源等集成电路产业链公司也相继申请科创板上市。

　　与之相对应的是，不久前，上交所公布科技创新咨询委员会候选人名单，其中集成电路领域的专家多达9位，占比近20%，仅次于生物医疗领域。

　　毫不夸张的说，在未来相当长的时间里，集成电路将会是科创板最大的主题之一。

　　其背后的逻辑在于，设立科创板，除了完善我国的资本市场体系外，还有一个极其的重要任务——帮助中国在核心领域取得突破，彻底完成经济上的产业升级。

　　在中国经济转型升级的路上，集成电路工业是最核心的阵地。

　　过去十年，中国在下游制造业和自主品牌上发展迅速。所以你能看到，越来越多的产业向国内转移，比如上文提到LED产业；越来越多的电子零部件厂商取得技术上的突破，比如京东方；越来越多的中国品牌开始在抢占世界市场的份额，比如华为、小米。

　　令人遗憾的是，在最为核心的集成电路工业上，中国始终没有取得实质性突破。

　　2018年，我国集成电路行业实现销售收入2519.3亿，但其中自给率仅为15.35%。也就是说，85%——超过2000亿元的芯片要依赖于进口。

　　根据WSTS统计数据，2017年全球半导体销售额已达4122亿美元，较1987年增长50倍，年复合增速达15%。换言之，这是一个万亿级的市场，且随着信息化程度的提高，市场规模有望持续增加。

　　集成电路又是一个将丛林法则演绎到了极致的行业——胜者为王。在细分领域内，一位赢家甚至可以拿走整个行业的利润，这是在其他行业不曾看到的。

　　以核心设备光刻机为例，荷兰ASML已经占据了大约80%的市场份额，其中最先进的EUV光刻机单台售价超过1亿美元。2018年，ASML收入109亿欧元，净利润26亿欧元。

　　而我们的目标，就要在这个超级产业完成逆袭。未来相当长时间内，我们都要做好战斗的准备。如果我们成功，中国就是真正的超级大国。如果这两个领域我们失败了，中华民族复兴就不能称之为成功。

　　与其他国家从单一领域突破不同，中国的做法是将人力财力覆盖整个产业链。这是中国PK欧美日整个制造业集团。这样的消耗是极其巨大的。

　　因此除了国家的支持，更少不了资本市场的帮助。与其说集成电路需要科创板，不如说中国需要科创板。

　　试想一下，在科创板的帮助下，再用一二十年时间，中国能掌握从最上游的集成电路设备，到集成电路制造，到集成电路设计、封测，到中游的零部件，到下游的消费电子终端的设计、研发、品牌，以及在终端运行的各种软件应用，我国毫无疑问就是顶端国家了。

　　而这一切，至少从现在往未来看，已经隐约看得见了。