蓝思科技与英特尔签署合作备忘录，加强玻璃基板通孔技术合作。

　　7月24日晚间，蓝思科技(300433)发布公告称，公司全资子公司蓝思国际(香港)有限公司近日与英特尔签署了合作备忘录。

　　根据备忘录内容，双方将TGV(玻璃通孔)先进封装作为本备忘录下讨论的重点方向，英特尔视蓝思科技为此领域有价值的潜在合作方。双方将就玻璃基板穿孔成型、高精度激光加工、金属化通孔沉积及多层互连布线等关键工艺(包括但不限于上述内容)相关的潜在合作进行讨论和评估，英特尔将提供说明性架构信息、可制造性设计(DFM)指南、基准测试方法和验证方法。

　　除TGV外，双方认为在优势互补的其他领域亦存在有意义的探索潜力，例如：AIPC的结构件和模组、数据中心服务器高可靠性结构件和散热组件，以及具身智能机器人、工业智能设备和边缘计算硬件。

　　蓝思科技表示，公司在TGV精密加工、微孔成型、金属化沉积及多层互连等工艺方面拥有长期技术积累，已建有相关中试线并开展样品试制，目前已向部分潜在客户送样评估，部分客户已通过初步概念验证，并进入技术测试阶段。本备忘录的签署有助于公司与英特尔建立长期、稳定、互信的战略合作伙伴关系，围绕各方在各自领域(包括精密制造、材料科学及全球供应链管理)拥有雄厚专业实力与运营能力，推动相关新技术尽早实现大规模应用，促进公司中长期战略目标实现。

　　今年5月，京东方A也宣布与康宁公司签署合作备忘录，双方将围绕玻璃基封装载板、可折叠玻璃、钙钛矿玻璃基板、光互连相关应用等重点领域开展合作，共同探索具有商业潜力的技术与市场机会。

　　封装载板作为芯片与系统电气互连的关键组件，其技术水平直接决定芯片集成度、信号传输效率与系统可靠性。资料显示，当前主流封装载板包括BT、ABF与陶瓷三类，应用场景各有侧重。BT载板技术成熟良率高，多用于消费电子；ABF载板适配大算力芯片，高端材料被日本企业垄断；陶瓷载板散热性能优异，适配功率、射频场景，高端市场同样由海外厂商主导。

　　不过，随着先进封装向高密度、异构集成方向演进，玻璃基板凭借低热膨胀系数、高机械强度、优异电气隔离性能与低高频信号损耗等优势，目前已经成为先进封装材料体系的重要发展方向。

　　据广发证券研究，先进封装领域，玻璃材质的引入可以取代原先的硅中介层和有机基板，配合板级封装工艺，能够大幅提高晶圆利用率的同时，提升基板的传输速率和带宽密度。光通信领域，根据2025年IEEE第75届电子元件与技术会议上康宁研究团队成果汇报，玻璃基板可以在表面制备光波导电路，从而实现光-电协同封装的高密度集成，有望成为102.4Tbps及更高带宽CPO应用的关键技术路径之一。

　　产业巨头正在加码布局。例如英特尔已经首次实现了大层数厚玻璃核心基板的制造，同时首次实现了光波导的共集成；台积电正积极推进CoPoS封装技术，布局玻璃基板替代硅中介层。此外，英伟达、苹果、三星、LG等厂商也在纷纷布局玻璃基板工艺。

　　广发证券指出，TGV玻璃通孔加工是玻璃基板的关键，钻孔、填空及高密度布线是核心工艺。玻璃基板的加工涉及打孔、填空以及RDL重布线等步骤，目前TGV加工面临的挑战主要集中在TGV的通孔成孔工艺以及TGV的高质量填充两方面。

　　通孔成孔方面：制造高深宽比、窄间距的高质量玻璃通孔是决定玻璃基板性能的核心环节之一，目前激光诱导刻蚀法有望成为主流工艺。通孔填空方面：玻璃材料表面光滑+常见金属粘附性差，因此需要借助自下而上填充、蝶形填充、共形填充、孔内壁电镀填充等方法以实现高密度的孔内填充。

　　高密度布线方面：玻璃表面的高密度布线难度大于有机材料或硅材料，需要借助线路转移(CTT)、光敏介质嵌入(PTE)、mSAP等工艺来实现高密度布线。