化合物半导体大蓝海，军工国产化必由之路：我们此前系列深度报告多次详细阐述下一代宽禁带半导体相比硅基半导体的优势，尤其在军工和通信领域的重要意义。一系列半导体公司都在筹划布局化合物半导体业务，这是中国企业与海外巨头站在同一起跑线竞争的最佳机会，与一系列国内下游厂商已签订合作协议，单一客户市场需求大，产能释放需求不愁，对公司长期业绩发展带来强大支撑。而作为资源整合大平台，三安光电6月融资后握400亿扶持资金有望实现一系列资产运作，向上下游全面进军，打造全球宽禁带半导体IDM 龙头。

　　投资建议：预计15-16年将是三安规模效益体现，量价齐升的快速增长阶段。在大基金和国开行的强力扶持下，作为中国集成电路发展国家队和资源整合平台，通过对需求旺盛的III—V 族化合物半导体持续大力投入，看好三安光电逐步成长为世界领先的宽禁带半导体IDM 龙头。三安光电作为资本密集型企业，扩产预计将带来营收、业绩大幅提升的空间，在集成电路大基金强力扶持下大力投入集成电路市场，预计进军远大于LED 芯片的蓝海大市场，有望再造一个三安。我们预测公司2015-2017年EPS 分别为0.94元、1.41元、2.12元。公司14年推出了带有较大杠杆的员工持股计划，大股东以自有资金认购非公开发行股票总数的10%，彰显看好自身长期发展的坚定信心。第一目标价35.25元，对应约25倍2016年 PE.