市值风云讯 | 第三代半导体以氮化镓、碳化硅、硒化锌等宽带半导体原料为主，更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件。目前，第三大半导体材料市场呈现出美日欧玩家领先的格局。以碳化硅为例，美国全球独大，占据全球碳化硅产量的70-80%；欧洲拥有完整的 SiC 衬底、外延片、器件以及应用产业链，日本则是设备和模块开发方面的领先者。相比之下，中国的第三代半导体产业稍显贫弱，在技术领先度、市场份额占比等方面较落后。

有消息称，中国正在规划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中，计划在2021到2025年的五年之内，举全国之力，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面对第三代半导体发展提供广泛支持，以期实现产业独立自主。

国内第三代半导体产业的建设也在加码。2020年7月20日，投资160亿元、占地面积1000亩的“三安光电第三代半导体产业园”，在长沙高新区启动开工建设。该产业园主要用于建设具自主知识产权的碳化硅衬底、外延、芯片及封装产业生产基地，也将建设我国首条碳化硅全产业链产线，这也意味中国迈出了第三代半导体材料“全自研”过程中的一步。而在此之前，华为旗下的哈勃科技投资有限公司出手投资了国内领先的第三代半导体材料公司，该公司是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。

据市场分析机构赛迪顾问统计，2019年在射频器件领域氮化镓占比超过30%，氮化镓市场规模约5.6亿美元；到2025年，氮化镓在射频器件领域占比有望超过50%，市场规模有望冲破30亿美元。碳化硅方面，2019年全球碳化硅市场规模约5.4亿美元，在2025年有望达到30亿美元，汽车市场将成为碳化硅市场规模增长的重要驱动力。5G、智慧交通、新能源已经成为全球发展的方向，而碳化硅、氮化镓的市场潜力还远未被全部挖掘。