突破30美元!基准NAND价格上行,存储涨价趋势持续
发布时间:2026-8-3 17:46阅读:99
截至8月3日收盘,同指数费率最低标的——科创芯片ETF(588290)下跌6.90%,近5日资金净流入达2.1亿元。支持T+0、聚焦港股硬科技的——港股通信息技术ETF(513240)上涨0.31%。成分股中,联想控股上涨10.56%,仕佳光子上涨7.47%,源杰科技上涨5.03%。
消息面上,行业机构DRAMeXchange数据显示,受益AI需求拉动,7月存储芯片价格持续走高,基准DRAM合约价环比上涨14.3%创历史新高,NAND基准产品价格突破30美元;其中单层NAND产品售价环比大涨35%,主要由于存储厂商优先倾斜产能生产高端3D NAND,单层产品供给收缩带动报价上行。
单层NAND属于传统闪存芯片,对比多层堆叠的3D NAND,存储密度更低。企业当前重点扩产适配AI算力的高端3D NAND,削减单层NAND产能,供需收紧推动单层NAND价格显著回暖,利好存储产业链公司盈利修复。
相关研究机构表示,AI算力与存力建设及半导体自主可控成为基金机构重点关注方向,前者推动PCB、存储等产业链业绩向好,厂商积极资本开支将提振上游设备及材料需求;后者受益于国内晶圆厂加速导入国产设备及材料,半导体厂商市场份额有望提升。(风险提示:以上信息仅供参考,不构成投资建议。入市有风险,投资需谨慎。)
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