IT之家7月4日消息，美光科技今日在日本广岛县东广岛市举行工厂扩建项目的破土动工仪式。

　　该项目总投资约1.5万亿日元(IT之家注：现汇率约合631.14亿元人民币)，旨在建设一座专门生产下一代先进存储芯片的制造设施，以满足AI领域对存储芯片的爆发式需求。

　　该工厂将重点生产HBM等核心芯片，这类产品是英伟达等企业AI处理器的关键配套器件。根据美光方面的规划，新产线计划于2028年夏季前后正式对外供货。

　　美光CEO桑杰.梅赫罗特拉在仪式上表示，美光首片HBM生产晶圆正是在广岛诞生的。他还强调：“当美国的魄力与日本的匠心相遇，你得到的不是妥协，而是世界之最。”

　　日本经济产业省已为该扩建项目拨付最高5000亿日元(现汇率约合210.38亿元人民币)的补贴支持。日本经济产业大臣赤泽亮正出席奠基仪式时表示，美光作为日本境内唯一的DRAM制造商，其价值不可估量。他同时表态，若有其他海外芯片制造商希望在日本建厂，日本政府将“尽其所能”提供支持。

　　公开资料显示，美光在广岛的布局可追溯至2013年——该公司收购了当时已破产的日本DRAM制造商尔必达(Elpida Memory)，从而获得了这座位于广岛的工厂。如今，广岛工厂所需的芯片材料中约有80%来自日本本土供应商。

　　美光此次日本扩产是其全球产能布局的一部分。该公司正在美国爱达荷州博伊西建设两座尖端晶圆厂，并于今年1月为纽约州锡拉丘兹郊外一处1000亿美元(现汇率约合6790.71亿元人民币)的生产基地举行了奠基仪式，以兑现其在美国本土增加DRAM产能的承诺。与此同时，韩国SK海力士和三星电子也在积极扩充制造产能。