中泰证券发布研报称，玻璃基板凭借可调CTE、低介电损耗及高平整度等优势，正成为下一代先进封装的核心技术方向，2026年商业化元年开启后有望迎来从0到1的产业窗口期。产业链上游：原片环节技术壁垒高、价值量大，且与药用硼硅玻璃底层共通，国产替代空间最为明确。

　　中泰证券主要观点如下：

　　后摩尔时代，先进封装成为突破AI芯片性能瓶颈的关键路径，而玻璃基板凭借其独特物性成为下一代封装的核心方向

　　摩尔定律正逼近物理与经济双重天花板，单纯依靠制程升级已难以满足AI芯片对高带宽、低时延和低功耗的指数级需求。当前主流的CoWoS封装虽广泛应用于AI/HPC芯片，但其硅中介层成本高昂，单片超100美元，占封装成本一半以上;同时受圆形晶圆与方形芯片的结构性矛盾影响，面积利用率持续下降，热应力翘曲问题对良率形成挑战。先进封装技术正呈现两大核心演进趋势：从晶圆级向面板级升级、从有机材料向无机材料迭代。面板级封装在超大尺寸场景下面积利用率可从45%提升至81%，成本下降10%-20%。玻璃基板凭借可调CTE、纳米级表面平整度、低介电损耗等优势，能够从根源上缓解大尺寸封装中的翘曲问题，并支持2μm以下高密度布线，成为下一代芯片基板的核心方向。

　　全球龙头厂商正加速玻璃基板产业化布局，2026年有望成为商业化元年，2028年前后进入快速渗透期

　　台积电于2025年正式将部分CoWoS升级为CoPoS，通过从圆形晶圆向方形面板切换，首条试验产线预计于2026年启动，目标2028年底至2029年上半年规模化量产，英伟达等列为首批战略合作伙伴。Intel于2023年发布Glass-Core方案，以玻璃替代ABF有机载板，2026年首次展示EMIB+玻璃芯基板样品，实现无微裂纹超低翘曲及45μm超细间距凸点。2026年有望成为玻璃基板商业化元年，Intel已展示实物样品，TSMC推进CoPoS试验线，三星电机计划2027年量产，预计2028年前后行业进入规模化渗透阶段。

　　玻璃基板的应用场景正拓展至CPO光电共封装及6G射频无源集成领域，国内产业化已取得实质突破

　　玻璃基板凭借低介电损耗、高平整度及光学透明性，成为光电一体化集成的理想衬底。康宁于2021年提出基于玻璃的光电共封装方案，在同一基板上集成低损耗光波导与TGV电互连结构。在6G射频与集成无源器件领域，玻璃基板30GHz下损耗角正切低于0.001，显著降低插入损耗。国内上海芯波与云天半导体联合推进的3DGlass IPD项目累计交付已突破1000万颗，标志着全球首条3DGlass IPD产线实现规模化稳定生产。

　　玻璃基板市场空间广阔，上游原片是产业链最核心环节，中游TGV通孔成型与填充是核心工艺瓶颈

　　2024年全球先进封装市场规模约450亿美元，预计2030年达800亿美元，复合增长率9.4%。上游玻璃原片核心材料为无碱/低碱硼硅特种电子玻璃，全球市场由康宁、AGC、肖特主导，国内凯盛科技、旗滨集团、力诺药包、戈碧迦等加速追赶。值得注意的是，半导体玻璃基板与药用中性硼硅玻璃共享同一核心材料体系，国内药用玻璃企业凭借长期积累的配方调控能力，能够相对快速地切入该赛道。中游核心工艺TGV通孔成型方面，激光诱导刻蚀是当前最优路径，可实现深宽比1:10至1:50、最小直径10mm的通孔，且无碎屑及微裂纹。通孔金属化填充采用化学镀种子层加“底向上”电镀方案以实现无缺陷填充，但大面积、多层布线仍面临光刻对准精度、层间粘附力及冷热循环分层等关键工艺挑战。

　　当前产业链核心瓶颈集中在上游配方与均匀性、中游深孔填充及多层布线，国内企业有望在2026年商业化窗口期实现从0到1的突破

　　当前产业链核心瓶颈集中于玻璃原片高纯度配方调控、大尺寸均匀性控制、TGV高深宽比无缺陷填充，以及多层布线光刻对准与层间附着力提升。国内企业在药用硼硅玻璃领域实现快速国产替代，山东药玻、力诺药包等具备向半导体玻璃基板延伸的底层能力。国内上市公司及创新企业已在原片、TGV加工、金属化填充、封装检测等全产业链形成初步布局，有望在2026年商业化元年开启之际把握从0到1的产业窗口期。

　　风险提示：技术产业化进展不及预期风险、行业竞争加剧风险、市场需求不及预期风险、研究报告使用的公开资料可能存在信息滞后或更新不及时的风险、第三方数据失真风险。