汽车电动化对高压充电平台以及功率器件提出了更高要求，SiC凭借耐高压、耐高温、高效率、高频率、抗辐射等优势，在电控场景中能量损耗比Si基芯片减少一半，被认为将取代IGBT，成为未来高压充电平台的核心器件，也是电动汽车性能和应用体验度提升的关键器件。

据意法半导体，使用SiC器件能使电动车平均减重150kg至200kg，延长电池寿命，使电车续航里程平均超过600公里。据中国半导体行业协会，采用碳化硅能使整车成本节省约2000美元，包括节省600美元电池成本、600美元汽车空间成本，节省1000美元散热系统成本。机构认为，在新能源车、光伏发电等重点行业终端出货量快速成长，SiC渗透率提升且短期内器件价格降幅有限的背景下，2022-2024年SiC器件市场规模有望迎来增速最快的三年周期。

据财联社主题库显示，相关上市公司中：

海特高新表示，公司和新能源车企合作，开展SiC（碳化硅）功率芯片的研发制造，车规级质量管理体系的推行工作正在有序推进中，适用于新能源充电桩应用的高效率、高功率SiC（碳化硅）功率芯片即将发布。

国星光电推出的第三代半产品SiC功率分立器件产品、GaN-DFN器件可应用于汽车充电桩等领域，目前处于小批量接单配合客户送样测试。