深度布局化合物半导体，氮化镓、碳化硅、砷化镓同步发力迈入收获期：

1.氮化镓（三代）：GaN适用高频、高功率且电压小于600V的场景。由于在高效率及小型化领域的优异性能，氮化镓在射频、充电等多方面的优势明显。GaN市场具有较高增速，在射频、电力电子领域有广泛的潜在需求。从现在5G基站的加速建设角度来看，GaN由于性能的优越，以及5G基站对于射频爆发式增长的需求，GaN有望实现快速渗透，且随着规模化效应，成本有望进一步下降，再次助力全下游领域的渗透率提高。

2.砷化镓（二代）：GaAs由于高频、抗辐射、耐高温及发光效率高的特性被广泛应用消费电子射频领域（PA和Switch）以及光电子Vcsel等领域。随着5G拉动消费电子射频端对于PA和Switch价量的提升，以及GaAs在PA等领域的占比不断提高，GaAs将在射频领域进一步提高市场规模；在Vcsel方面随着3D感应渗透率提高以及5G带动对于高速大容量光通讯的需求，GaAs将会受到Vcsel这一新成长推手的帮助继续增长。

3.碳化硅（三代）：SiC在电压600V及以上的高功率领域具有优势。目前已被用于新能源汽车及风力等行业。根据Yole，2018年SiC电力电子器件市场规模约4亿美元，2023年成长至14亿美元。SiC目前在新能源汽车主要用于充电桩，预计未来在汽车器件上将有更广阔的潜在用途。

定增募资继续深度布局MiniLED和MicroLED。我们认为在LED行业Mini以及MicroLED具备清晰度、画质、厚度、反应速度等方面的优点，渗透率将持续提高，带来潜在需求空间。公司在2019年公告非公开募集70亿元，用于投入总投资金额约138亿元的半导体研发与产业化项目（一期），主要投资于氮化镓、砷化镓、特种封装业务、以及公共配套板块。预计后续项目达产后预计实现年销售收入82.44亿元，对应净利润19.92亿元，将显著增厚公司业绩。

盈利预测与投资建议：三安光电作为化合物半导体龙头企业，LED主业逐渐触底回暖，且格局优化、强者恒强；公司砷化镓、氮化镓、碳化硅及滤波器等器件积极布局，卡位下一世代半导体制造领域，率先迎来产品突破和放量。预计公司2020~2022年将实现归母净利润20.55/29.20/37.00亿元，首次覆盖，给予“买入”评级。

风险提示：LED行业需求不达预期，化合物半导体进展不达预期。

本文节选国盛证券报告《三安光电（600703）：化合物半导体龙头崛起，MiniLED助力主业增长》，具体分析内容（包括相关风险提示等）请详见相关报告。若因对报告的摘编而产生歧义，应以报告发布当日的完整内容为准。