周一（9月23日），早盘A股小幅低开，随后金融、地产持续杀跌，沪指大盘持续下行后低位震荡，尾盘涨0.46%报收2999.28点；深成指涨1.01%；创业板指涨1.57%。盘中国产芯片等科技股走强，但持续性不强。
2019世界制造业大会上近日在合肥召开，期间合肥市宣布投资1500亿元用于长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目，该项目是安徽省目前单体投资最大的工业项目，将生产国产第一代10nm级8GbDDR4内存。长鑫存储是中国第一家投入量产DRAM设计制造企业，已专注内存研发生产多年。从2008年开始，我国集成电路进口额接连多年持续增长（2014年除外）。其中，存储器芯片是中国芯片市场中的最大品类，2015年以后占集成电路进口额超过25%，也是最能体现集成电路规模经济效应和先进制造工艺的产品，此前国内的自主生产能力为零。
多年来国内DRAM研发生产主要受困于技术瓶颈和国际大厂的垄断：DRAM作为存储器的一种重要分类，一般采用IDM模式，核心生产厂房和巨额设备投资是阻扰新进入者的巨大门槛。当前DRAM市场份额基本被三星、SK海力士、美光垄断，其中仅韩国半导体行业两大巨头三星和SK海力士市场占比接近70%左右。合肥长鑫当前在19nm芯片技术取得突破，成就了我国第一颗自主研发的19nmDRAM芯片。按长鑫存储的董事长兼CEO朱一明此前的演讲，合肥长鑫的技术来源主要来自于已经破产的奇梦达，该公司是英飞凌半导体剥离出来成立的DRAM芯片公司，合肥长鑫表示当前投产的8Gb DDR4已通过了多个国内外大客户的验证。
按合肥长鑫的计划，到2019年年底，DRAM产能达到2万片/月，三期项目完全达产后，预计可形成35-40万片/月的产能。按半导体制造流程，存储片制造可分为硅片制造、晶圆制造、封装测试三个环节。因此，本次合肥长鑫投产，需要采购的上游厂商光刻机、刻蚀机、清洗剂等半导体装备材料，或利好国内设备厂商，下游方面对半导体封测行业公司业绩也有拉动作用。
长鑫存储是国内第一家投入量产的DRAM企业，对于推动中国在这一高端芯，片产业上逐步实现独立自主，带动上下游产业链的国产化有重要意义。