成都百花潭手机证券开户流程
发布时间:2016-8-18 10:41阅读:278
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【相变内存研究再获新突破或颠覆存储行业】
据报道,斯坦福大学刚刚在相变内存(PCM)领域实现了一个新的突破:PCM的相变转变速度可比传统DRAM快千倍。今年5月IBM也宣布了一项全新的储存技术能够解决目前的电脑性能瓶颈,其成本已降至可接受的范围,从而可以进入商用阶段。IBM和斯坦福大学相继在相变内存领域取得的重大进展有望推进PCM技术成为主流。
相变存储技术是继内存、闪存之后目前世界上最先进的存储技术,可广泛应用于移动设备、大数据存储及云存储平台,被业界视为未来闪存和内存的替代品。其功耗只有现有闪存的一半,但读写速度可达闪存的1000倍。据预测,在未来30年内,基于PCM技术生产的半导体产品将成为电子存储器产业发展的主要支撑力量。
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