据科技日报8月11日消息，中国科学家在《自然·纳米技术》杂志上发表论文称，他们在单晶石墨烯制备上取得了一项突破。通过对化学气相沉积法(CVD)的调整和改进，他们将石墨烯薄膜生产的速度提高了150倍。新研究为石墨烯的大规模应用奠定了基础。

　　石墨烯是由碳原子构成的只有一层原子厚度的二维晶体材料，在电、光、机械强度上的优异特性，使其在电子学、太阳能电池、传感器等领域有着众多潜在应用。虽然需求巨大，但其制备速度缓慢，利用率一直徘徊在25%左右，成为制约其进入实际应用的瓶颈之一。目前制备高质量石墨烯的方法，除胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法外，主要是化学气相沉积法。但通过CVD技术生产单晶石墨烯薄膜仍然需要耗费很长的时间，制备一块厘米见方的单晶石墨烯薄膜至少需要一天的时间，十分缓慢。