随着新一代AIGPU、ASIC芯片功耗快速冲高，供电瓶颈从机房、机柜下沉到板级与芯片侧，三次电源作为距离GPU最近的末级电压调节环节，直接决定算力芯片供电稳定性、瞬态响应能力与算力释放水平，传统横向多相Buck架构逐步遇到瓶颈。行业开启向TLVR耦合电感、VPD垂直供电、封装级IVR演进的技术迭代周期，DrMOS、高端芯片电感、高集成电源PCB三大核心零部件迎来量价齐升，国产厂商加速突破海外垄断，进入订单验证与放量的配置窗口。

AI芯片功耗飙升催生三次电源刚性升级需求

英伟达B300等新一代GPU热设计功耗抬升至1400W级别，在芯片核心电压维持低位的前提下，工作电流大幅走高，传统长距离横向供电路径带来巨大线路损耗，同时AI负载瞬时剧烈波动，对电压瞬态响应提出严苛要求。三次电源负责把12V/6V中间母线电压降至芯片所需0.6‑1.8V，是算力硬件不可缺少的“供电心脏”，高功率AI服务器单机DrMOS、电感、MLCC用量较传统服务器成倍提升，带来确定性增量空间。

技术路线迭代：短期多相Buck为底座，中长期VPD/IVR打开成长天花板

短期以多相Buck+DrMOS为行业主流方案，依靠增加供电相数、升级大电流功率器件满足供电需求；中期TLVR耦合电感、模块化POL、VPD垂直供电加速渗透，缩短供电路径、降低PDN阻抗，释放板卡宝贵空间；长期IVR封装级电源与Chiplet、HBM先进封装深度协同，把供电单元直接集成进芯片基板内部，进一步降低损耗。不同路线并行发展，带动功率半导体、磁性元件、PCB全链条升级。

海外巨头主导格局，国产迎来难得替代窗口期

当前全球高端三次电源市场主要由英飞凌、MPS、Vicor等海外厂商把控，认证周期长、技术壁垒高。海外头部厂商产能紧张，国内算力、智算中心供应链安全诉求提升，杰华特、铂科新材、中富电路等国内企业完成产品迭代，逐步进入头部客户送样、测试、小批量供货阶段，开启国产替代进程。

产业链价值向上游元器件转移，零部件优先兑现业绩

三次电源整机模组壁垒高、验证周期漫长；上游DrMOS功率级、高端金属软磁芯片电感、埋嵌工艺电源PCB，率先受益单机用量提升与规格升级，实现“量增+价升”双重逻辑，零部件企业先于整机模组释放业绩弹性。

机会与风险

机会

· AI服务器出货量持续超预期，拉动三次电源零部件采购；

· VPD垂直供电、TLVR耦合电感技术加速落地，头部云厂商开启方案试点招标；

· 国产DrMOS、芯片电感、电源PCB完成头部算力平台认证，从送样走向批量交付；

· 海内外智算中心资本开支维持高位，高密度机柜建设持续推进；

·IVR封装级电源研发持续推进，先进封装带动三次电源远期空间打开。

风险

AI算力资本开支不及预期、AI芯片功耗提升不及预期、技术路线迭代存在不确定性、客户认证周期漫长、赛道涌入新参与者，行业竞争加剧。