据介绍,国家技术发明一等奖判定标准为
发布时间:2015-12-22 19:30阅读:717
“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”由江西省申报,项目主要参与人员包括南昌大学的江风益教授、晶能光电(江西)有限公司的孙钱等人。
项目资料显示,该项目率先攻克硅基相关难题,所生产的硅衬底LED各项指标在同类研究中均处于国际领先地位,并与碳化硅、蓝宝石两条技术路线水平持平;并从衬底加工、外延生长、芯片制造、器件封装四大环节均发明了适合硅衬底高光效蓝光LED生产的关键核心技术,自成体系;该项技术已经申请或拥有国际国内专利232项,其中已授权发明专利127项,实现了外延芯片核心部件每一层都有专利保护。
据介绍,国家技术发明一等奖判定标准为:属国内外首创的重大技术发明或创新,技术经济指标达到了同类技术领先水平,且推动相关领域技术进步且已产生显著的经济或者社会效益。
“硅衬底技术确实应该获得这个大奖,他打破了日美国家在这个领域的技术垄断,这是国家大力支持科技发明的体现。”一位接近国务院高层的产业经济学家如此评价
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