我国正在研制下一代存储芯片、速度提升1000倍

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据长江日报报道，武汉光电国家研究中心研发团队正在全力研发“下一代存储芯片”。研发负责人、教育*部“长江学者”特聘教授、华中科技大学光电学院副院长缪向水称，“我们正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术，预计明年能在实验室研发成功。到时候，芯片的读写速度会比现在快1000倍，可靠性提高1000倍，一旦产业化成功，将颠覆产业格局。目前，英特尔等产业巨头也在研究这一方向。”

点评：芯片进口额从2015年起已连续3年超过原油，成为我国第一大进口商品。2017年中国芯片进口量高达3770亿块，进口额为2601 亿美元，折合人民币高达17561 亿元。而在芯片领域，存储芯片是产值和需求量第一的芯片，占芯片总产值近25%。预计到2020年国内存储芯片的市场规模到5000亿元。而当前我国95%的存储器芯片依靠进口。未来5-10年阶段，国产化的存储芯片进口替代空间巨大。从存储芯片的技术趋势来看，随着存储芯片的存储密度指数增长，芯片的制造从传统的2D向3D转变，而中国企业与全球竞争对手在3D布局的差距相对更小，国内企业未来有望借助3D存储技术和贴近国内巨大需求市场实现弯道超车。

南大光电（300346） -2.70%主营光电新材料MO源。MO源是制造相变存储器的核心原材料。

紫光国芯（002049）在接受机构调研时表示，正在进行“高性能第四代DRAM存储器芯片产品”的研发。