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氧化镓是第四代半导体最核心、最具想象空间的材料，被誉为下一代超宽禁带半导体终极材料，赛道长期高景气、无衰退风险。氧化镓禁带宽度远超碳化硅、氮化镓，具备极致耐压、超低损耗、超高散热优势，是特高压、高端功率半导体、极端军工设备的最优材料。目前全球氧化镓产业均处于研发突破、中试落地阶段，尚无规模化量产，国内企业与海外技术差距极小，是少数可以实现换道超车的半导体赛道。国内头部企业持续突破衬底制备、外延生长、器件工艺，良率稳步提升、样品逐步送样验证，产业化进度持续提速。赛道核心投资逻辑是换道超车+国产替代+高端刚需+技术迭代四重红利叠加，未来随着特高压、新能源高端装备、6G建设提速，氧化镓需求将迎来爆发式增长。当前板块预期差极大、泡沫极小、成长空间巨大，是散户中线布局第四代半导体的首选细分赛道。本文仅作科普，不构成投资建议。
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发布于2026-8-12 10:27 南京
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