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您好，光伏逆变器芯片的国产替代目前进展显著，但高端领域仍有提升空间，现在布局相关基金有机会吃到行业增长和国产替代的双重红利。
一、国产替代加速，中低端市场基本覆盖
国内IGBT厂商（如斯达半导、士兰微、时代电气等）技术突破，60KW以内光伏逆变器IGBT已实现国产替代，100KW以上产品也有小规模试用。2025年国产化率预计超70%，成本较进口芯片降低20%，支撑中游逆变器毛利率稳定在25%以上。
二、高端市场仍依赖进口，技术迭代是关键
高端IGBT（如大功率组串式、集中式逆变器所需芯片）仍依赖英飞凌、安森美等国际大厂，国产芯片在可靠性、鲁棒性、多管并联一致性上存在差距。不过，SiC/GaN等第三代半导体材料的应用（如阳光电源自建SiC产线）正在加速技术追赶。
光伏逆变器芯片国产替代正处于“中低端替代完成，高端突破在即”的阶段。我公司名列行业前列，具备雄厚师资力量，欢迎右上角加微信，为您个性化分析基金配置方案！
发布于2025-8-19 11:58
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